該系列新設(shè)備在符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的11.5 x 13mm封裝中集成了96層BiCS FLASH™ 3D閃存和控制器。該控制器執(zhí)行錯(cuò)誤校正、耗損均衡、邏輯地址向物理地址的轉(zhuǎn)換以及壞塊管理等功能，便于簡化系統(tǒng)開發(fā)。

全部三款設(shè)備均符合JEDEC UFS Ver.3.0標(biāo)準(zhǔn)，包含HS-GEAR4，每個(gè)通道理論接口速度最高可達(dá)11.6Gbps（2通道=23.2Gbps），同時(shí)具備抑制功耗增加功能。512GB設(shè)備的順序讀取和寫入性能分別比上一代設(shè)備[5]提高了約70%和80%。

注
[1] 128GB設(shè)備樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，該系列其他產(chǎn)品將在三月之后陸續(xù)啟動(dòng)樣品發(fā)貨。 樣品規(guī)格將不同于商用產(chǎn)品的規(guī)格。
[2] 數(shù)據(jù)來源：東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社，截至2019年1月23日。
[3] 通用閃存(UFS)是一種產(chǎn)品類別，即一類根據(jù)JEDEC UFS標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范生產(chǎn)的嵌入式存儲(chǔ)器產(chǎn)品。由于采用串行接口，UFS支持全雙工，支持在主處理機(jī)和UFS設(shè)備之間進(jìn)行并發(fā)讀取和寫入。
[4] 產(chǎn)品存儲(chǔ)密度基于產(chǎn)品內(nèi)置的內(nèi)存芯片的密度來確定，而非最終用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可用存儲(chǔ)器容量。由于開銷數(shù)據(jù)區(qū)域、格式設(shè)置、壞塊及其他制約因素，用戶可用容量會(huì)減少，根據(jù)不同的主機(jī)設(shè)備和應(yīng)用，用戶可用容量可能也會(huì)有所差異。請(qǐng)參考適用的產(chǎn)品規(guī)格了解詳情。定義1GB = 230字節(jié)= 1,073,741,824字節(jié)。
[5] 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社上一代256GB設(shè)備“THGAF8T1T83BAIR”